货号氮化钽溅射靶材
品名TaN
产地湖南
品牌利吉升
纯度99.5%
尺寸非标定制
用来制造片状电阻的材料，氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀
氮化钽靶材----氮化钽（Tantalum mononitride）是一种化工材料，分子式为TaN，分子量为194.95。
用来制造片状电阻的材料，氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。 在制造集成电路的过程中，这些膜沉积在硅晶片的**部，以形成薄膜表面贴装电阻
应用反应射频磁控技术,在氧化铝陶瓷样片上制备了方阻稳定性好的Ta N薄膜,研究了氮分压(N2/(N2+Ar))、沉积温度、沉积时间对Ta N膜层结构和电性能的影响,通过X射线衍射、四探针方阻仪器测试了薄膜的微结构和方阻值
利用磁控反应溅射技术制备了氮化钽薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技术研究了薄膜的微观结构。研究结果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒细小（１６ｎｍ左右）；同时还发现，在一定工作压力下，随着氮分压的提高，氮化物晶粒形成的取向改变，即平行于基体表面生长的晶面会有改变。
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