货号Ta2O5溅射靶
品牌利吉升
品名五氧化二钽靶材
纯度99.99
产地湖南
尺寸根据客户要求定做
制备五氧化二钽薄膜并研究其性能,有很强的实用价值,已引起人们的密切关注。
当**大规模集成电路的特征尺寸缩小至小于65nnm或者更小时,传统的二氧化硅栅介质层的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅层会大幅度增加器件功耗,并且减弱栅较电压控制沟道的能力。在等效氧化层厚度保持不变的情况下,使用高介电材料替换传统的栅较介质,使用加大介质层物理厚度的方法,可以明显减弱直接隧穿效应,并增加器件的可靠性。所以,找寻高介电的栅介质材料就成了当务之急。在高介电栅介质材料中,由于五氧化二钽既具有较高的介电常数(K-26),又能够兼容与传统的硅工艺,被普遍认为是在新一代的动态随机存储器(DRAM)电容器件材料中相当有潜力的替代品
制备Ta2O5薄膜的方法有很多,常见的有化学气相沉积法[2-3]、DC或RF溅射法[4-6]、电子束蒸发法[7-8]、溶胶凝胶法[9-12]等.与传统的物理化学方法相比较,溶胶凝胶法不需要真空条件和太高的温度,可在任意形状的基片上成膜,制备过程容易控制,体系的化学均匀性好,而且通过自组装和模板作用可用于合成具有高比表面积的介孔材料
离子束溅射Ta2O5薄膜的研究主要集中在离子束、烘烤温度和工作气体流量比等参数的优化以及热处理对薄膜性能的影响上，并获得了离子束溅射制备Ta2O5薄膜的折射率、消光系数、应力、化学计量比、微结构和光学带隙等特性。
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