货号Ta2O5溅射靶
品牌利吉升
品名五氧化二钽靶材
纯度99.99
产地湖南
尺寸根据客户要求定做
当**大规模集成电路的特征尺寸缩小至小于65nnm或者更小时,传统的二氧化硅栅介质层的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅层会大幅度增加器件功耗,并且减弱栅较电压控制沟道的能力。在等效氧化层厚度保持不变的情况下,使用高介电材料替换传统的栅较介质,使用加大介质层物理厚度的方法,可以明显减弱直接隧穿效应,并增加器件的可靠性。所以,找寻高介电的栅介质材料就成了当务之急。在高介电栅介质材料中,由于五氧化二钽既具有较高的介电常数(K-26),又能够兼容与传统的硅工艺,被普遍认为是在新一代的动态随机存储器(DRAM)电容器件材料中相当有潜力的替代品
【中文名称】五氧化二钽
【英文名称】tantalic oxide; tantalum pentoxide
【结构或分子式】 Ta2O5
【分子量】 441.89
【密度】8.2g/cm3
【熔点（℃）】1800
【性状】
白色斜方晶体，菱形柱状体。
【溶解情况】
溶于熔融硫酸氢钾和氢氟酸,不溶于水和其他酸。
Ta2O5薄膜具有较高的折射率和热稳定性、低吸收、无定形微结构和耐化学腐蚀等优点，广泛应用于制备多种光学元件的减反膜、高反膜、分光膜和干涉滤光膜
又称“氧化钽”。化学式Ta2O5。含O18.1%。酸性氧化物,结晶形白色粉末或无色难溶性粉末。相对密度8.2,熔点1872℃±10℃。有多种同素异形体,其中β-Ta2O5在1360℃以下稳定存在,斜方晶系,a=6.192×10-8cm、b=44.02×10-8cm,c=3.898×10-8cm;而α-Ta2O5在熔点以下稳定存在,四方晶系,a=3.81×10-8cm、c=35.67×10-8cm、c/a=9.36。不溶于水、醇、矿酸类和碱溶液,溶于氢氟酸和熔融的碱或焦硫酸钾。
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