应用反应射频磁控技术,在氧化铝陶瓷样片上制备了方阻稳定性好的Ta N薄膜,研究了氮分压(N2/(N2+Ar))、沉积温度、沉积时间对Ta N膜层结构和电性能的影响,通过X射线衍射、四探针方阻仪器测试了薄膜的微结构和方阻值
结果表明:随氮分压的增大,Ta N薄膜的微结构明显变化,同时Ta N薄膜的方阻也有显著增大趋势;随着沉积温度的提高,Ta N薄膜的方阻有减小趋势,当温度达到400℃时,制备出了方阻小于100Ω/□的薄膜;随着沉积时间的加长,Ta N薄膜的方阻也出现减小的现象;后制备出工艺稳定性好的方阻50Ω/□的Ta N薄膜
氮化钽靶材合成
1、将金属钽粉用氮气或氨气在1100℃左右直接氮化制得；
2、以金属钽和氮气为原料制备氮化钽，反应式如下：2Ta+N2=2TaN。
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