当**大规模集成电路的特征尺寸缩小至小于65nnm或者更小时,传统的二氧化硅栅介质层的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅层会大幅度增加器件功耗,并且减弱栅较电压控制沟道的能力。在等效氧化层厚度保持不变的情况下,使用高介电材料替换传统的栅较介质,使用加大介质层物理厚度的方法,可以明显减弱直接隧穿效应,并增加器件的可靠性。所以,找寻高介电的栅介质材料就成了当务之急。在高介电栅介质材料中,由于五氧化二钽既具有较高的介电常数(K-26),又能够兼容与传统的硅工艺,被普遍认为是在新一代的动态随机存储器(DRAM)电容器件材料中相当有潜力的替代品
制备五氧化二钽薄膜并研究其性能,有很强的实用价值,已引起人们的密切关注。
五氧化二钽的应用相当广泛,涵盖触媒、固态氧化物燃料电池和感测器等.而五氧化二钽(Ta2O5)薄膜具有高介电常数(25~35)、高折射率(波长550 nm处为2.01~2.23)和很好的化学稳定性,可以作为动态随机存储器(DRAM)、金属氧化硅晶体管、减反膜、高温阻抗、气敏传感器以及电容器的关键材料等
五氧化二钽是一种很好的高折射率镀膜材料 ,折射率 2 .1 ,它与二氧化硅组合镀制的增透膜、反射膜、干涉滤光片等膜层牢固、化学稳定性好、抗激光损伤能力强。
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