长春铁锰酸铋靶材费用 铁锰酸铋
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产品描述

产地株洲 规格非规定制 利吉升 纯度99.95% 杂志0.05%
BST 薄膜层能阻止BNF 中的自由载流子在电极与BNF 薄膜之间移动.而顶层BST 薄膜在工艺过程中抑制Bi 元素的挥发起了决定性作用,进一步降低了BST/BNF/BST 中BNF 薄膜层的自由电荷,所以BST/BNF/BST 比BNF/BST 有更低的漏电流水平.在100 kHz 条件下,BST/BNF/BST 薄膜具有超低损耗至0.0012.
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采用溶胶-凝胶的方法在 Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了5%Mn掺杂的BiFeO3(BFMO)薄膜,并构建了Pt/BFMO/Pt对称型电容器, 研究了紫光对多晶BFMO薄膜铁电性及J-V特性的影响.实验发现,在紫光的照射下,薄膜的电导增大,这是由于紫光入射在BFMO薄膜上,产生了光生载流 子.
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锰氧化物异质结在自旋电子学领域具有广阔的应用前景,例如,可应用在磁传感器和磁存储等器件中
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多铁材料的典型代表之一铁酸铋(BiFeO_3,BFO)具有室温铁电、反铁磁性和铁电光伏效应等。但是BFO是一种宽带隙(2.7 eV)半导体,对可见光吸收较低,且具有较大的漏电流,这使得其光生电流很小和容易退极化
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