广州铁锰酸铋靶材 铁锰酸铋
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产品描述

产地株洲 规格非规定制 利吉升 纯度99.95% 杂志0.05%
BST 薄膜层能阻止BNF 中的自由载流子在电极与BNF 薄膜之间移动.而顶层BST 薄膜在工艺过程中抑制Bi 元素的挥发起了决定性作用,进一步降低了BST/BNF/BST 中BNF 薄膜层的自由电荷,所以BST/BNF/BST 比BNF/BST 有更低的漏电流水平.在100 kHz 条件下,BST/BNF/BST 薄膜具有超低损耗至0.0012.
广州铁锰酸铋靶材
锰氧化物/铁酸铋(La0.7Sr0.3MnO3/BiFeO3(LSMO/BFO),LaMnO3/BiFeO3(LMO/BFO))异质结中的交换偏置效应的起源。发现了一种新的物理现象,即LMO/BFO界面可以诱发自旋团簇玻璃态的转变,并深入探讨了发生这种现象的原因。还发现应变效应在LMO薄膜中自旋团簇玻璃态形成的过程中发挥着重要的作用。
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测试电压为5 V时,无光和光照时的漏电流密度分别为2.92 mA/cm2和10.10 mA/cm2。通过对电流密度的拟合发现:欧姆传导为外延ITO/BFMO/SRO电容器的主要漏电机制,并且光照没有改变电容器的导电机制。
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在100 kHz 条件下,BST/BNF/BST 薄膜具有超低损耗至0.0012.同样地,磁控溅射法在Si(100)基片上制备缓冲层LaNiO3,在LaNiO3/Si(100)制备(Bi0.9Nd0.1)FeO3薄膜,可以实现(Bi0.9Nd0.1)FeO3 可薄膜(111)择优取向生长,可以降低(Bi0.9Nd0.1)FeO3 薄膜的漏电流至10-7A/cm2 数量级
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