品名AlN
产地湖南
品牌利吉升
货号氮化铝靶
纯度99.5%
在半导体工业中，用氮化铝坩埚代替石英坩埚合成化稼，可以完全消除Si对化稼的污染而得到高纯产品
氮化铝特性
(1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；
(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；
(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；
(4)机械性能好，抗折强度**Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；
(5)纯度高；
(6)光传输特性好；
(7)无毒；
(8)可采用流延工艺制作。是一种很有前途的高功率集成电路基片和包装材料。
在室温下，物质表面仍能探测到5-10纳米厚的氧化物薄膜。直至1370℃，氧化物薄膜仍可保护物质。但当温度**1370℃时，便会发生大量氧化作用。直至980℃，氮化铝在氢气及二氧化碳中仍相当稳定
但添加量1 0％以上时，在酸碱溶液中的稳定性很高，同无添加剂#JAI N制品相近。AI N和A1203反应可生成单相立方氮氧尖晶石，它有很好的高温强压，1500 oC时强度仍保持在500M Pa，它的化学稳定性更高，是很好的耐火材料。“此外，氮化铝热膨胀系数小，导热性好，还有高的强度，因此可用作高温构件、热交换器等
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